CMP32N20P：電子鎮流器的性價比之選
電子鎮流器（Electronic ballast），是鎮流器的一種，是指采用電子技術驅動電光源，使之產生所需照明的電子設備。現代日光燈越來越多的使用電子鎮流器，輕便小巧，甚至可以將電子鎮流器與燈管等集成在一起，同時，電子鎮流器通常可以兼具啟輝器功能，故此又可省去單獨的啟輝器。電子鎮流器還可以具有更多功能，比如可以通過提高電流頻率或者電流波形（如變成方波）改善或消除日光燈的閃爍現象；也可通過電源逆變過程使得日光燈可以使用直流電源。
廣東場效應半導體有限公司（Cmos）推出的CMP32N20P具有超高性價比。被廣泛應用于電子鎮流器、逆變器、伺服電機、LED燈等諸多領域，表現出卓越性能。下面就CMP32N20P系列MOSFET單個型號做簡要介紹，以供廣大用戶參考。
封裝形式
CMP32N20P MOSFET系列推出四種不同封裝形式可供用戶選擇使用。具體如下：
CMP32N20P TO-220 CMI32N20P TO-262
CMB32N20P TO-263 CMF32N20P TO-220F
卓越的電氣特性
CMP32N20P電氣特性包括：
耐壓與電流能力：CMP32N20P是一款中壓MOSFET，其耐壓值（BVDSS）=200V，在TC=25℃條件下，最大連續漏極電流ID=32A。這使得CMP32N20P MOSFET在燈光控制、逆變電源等應用環境中具有廣泛的應用空間。
卓越的抗沖擊能力及技術建議
EAS是單次雪崩期間所能承受的能量， CMP32N20P以Tc ≦ 150℃為極限條件，EAS可達到1000MJ，這使得該型號具有很強的抗沖擊能力，尤其在以下情況下具有明顯優勢。以下幾種情況是MOS管受雪崩沖擊最常見的應用境況。
第一、在反激式網絡中應用, MOSFET關斷時會產生較大的電壓尖峰；
第二、一些電源在輸出短路時，初級線圈中會產生較大的電流，加上初級線圈電感的存在，器件就會有雪崩損壞的可能；
第三、電機的負載是感性負載，而啟動和堵轉過程中會產生極大的沖擊電流；
常見防止雪崩損壞的方法：
第一、在變壓器兩端并接 RCD 吸收回路，降低反向尖峰電壓；
第二、串聯柵極電阻，抑制dv/dt ；
第三、可在DS間并接 RC 吸收回路以吸收反向尖峰電壓；
第四、在電路設計時縮短器件之間距離，或者采用多層PCB板過孔連接，可降低寄生電感。
低開啟電壓：CMP32N20P MOSFET閾值電壓（VGS(th)）不超過4V，使得驅動電路設計相對簡單，甚至使用78XX系列單片機就可以驅動。簡單的驅動電路，將會使電源網絡集成性更高，電路相對簡單，EMI干擾也會更小，使網絡環境整體協調性更高。
優秀的熱管理性能：CMP32N20P系列MOSFET熱阻RθJC在0.78~2.51℃/W之間。低熱阻值使該料在大電流、高功率的應用環境中非常合適。
理想的開關性能：影響MOSFET開關性能的主要參數是自身電容即Ciss、Coss和Crss，在MOS管電路應用中選擇這三項參數較小的管子，會使電路整體性能更加穩定。下圖是MOSFET結構電容分布，其中：
Ciss：Ciss是MOS管的輸入電容Ciss=Cgs+Cgd，顯然該參數影響著MOS管的VGS，因為驅動電路通電瞬間先給Ciss電容充電，當電容越大充電時間越長，導致VGS開啟時間越長，較長時間使MOS管工作在線性區，MOS管在線性區時內阻RDS值很大，將會產生以下問題；第一、導致管子發熱嚴重，可以通過熱量公式，Q=I*I*R*T（其中，I是流過MOS管漏源極的電流，R是MOS管狀態下的內阻）進行定性分析；第二、導致開關損耗越大，因為MOS管是一個高頻率開關元器件，頻率高達1MHZ以上,每次開關都會產生開關損耗，器件的損耗是開通過程中的損耗Eon和關閉過程中的損耗（Eoff），開關總損耗，Psw=(Eon+Eoff) ×開關頻率。
Coss：對于軟開關的應用，Coss非常重要，因為它可能引起電路的諧振。
Crss：Crss=Cgd，對于高頻切換動作最有不良影響。為了提高器件高頻特性，Cgd要愈低愈好。
以上是CMos CMP32N20P MOSFET系列產品之一，客戶在應用中表現出優異性能。CMP32N20P系列MOSFET有四種不同封裝形式，可以滿足不同的網絡環境使用。如需詳細了解該料參數，請注冊和登錄廣東場效應半導體有限公司官網：WWW.www.59iv.com
