聊一聊CMD4003

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CMD4003是廣東場效應有限公司在二零一九年推出的一款低電壓P溝道場效應管，歷經數年，該料憑借其卓越的電性特征已在包括汽車電子、小型家電、醫療美容等行業得到廣泛應用。

封裝形式

Cmos考慮到用戶不同的使用場景，為CMD4003場效應管提供TO-252和TO-251兩種不同封裝形式可供選擇，具體內部拓撲結構如下圖所示：

耐壓能力

CMD4003場效應管工作時最大額定電壓VDS=-40V，屬于一款低壓MOS管，在柵極閾值電壓VGS=-2.5V,工作溫度Tc=25℃時，持續工作電流ID=27A，這使得它的驅動電路將會更簡單，可以直接用單片機驅動，場效應管驅動電路變得更簡單，避免了臃腫的驅動電路設計,PCBA板簡潔小巧，體積尺寸更小。

理想的導通內阻

CMD4003 MOSFET在VGS=-10V條件下，內阻值RDS(ON)=20mΩ。內阻較低，在實際電路應用中因為電流的熱效應導致MOS管不容易發熱和本身電能損耗小。這一特點在電池保護方案中特別重要。

場效應管因為其結構決定了其柵極、源極、漏極兩兩之間存在電容，其開啟和關閉就是給柵極電容充電和放電的過程，每一次充電和放電都需要時間，都造成電能損耗，伴隨著MOS管產生熱量。而MOS作為超高頻率開關器件，柵極電容的大小對MOS管開關頻率影響很大，在實際電路中，尤其在100KHZ高頻率應用條件下大電容造成的電能損耗將很可觀，而這些損耗的電能是通過MOS管熱量最終損失。可想而知，100KHZ條件下，一定時間內，如果該電容足夠大，損耗的電能轉化成的熱量足夠是MOS管的溫升很高容易造成熱擊穿甚至炸裂情況。所以，在高速高頻應用環境中，這個參數一定要控制。

CMD4003 MOSFET CISS=2400Pf，容值比較小，所以才能完美適配高頻的LED燈控，無人機控制，高端美容設備。

以上是對CMD4003 場效應管簡單的介紹。從這顆料自身卓越的電性參數結合客戶應用的電路環境，表現出了優異的性能。限于篇幅，就分享至此，如需詳細了解參數和適配物料，請注冊和登錄廣東場效應半導體有限公司官網：WWW.www.59iv.com自行下載和聯系客服免費索取樣品。

廣東場效應半導體有限公司是一家擁有20多年市場經驗集開發、設計、生產和銷售的多業務、多維度經營的綜合性半導體公司，具備半導體獨立封測能力，具有自主創新的芯片設計能力，具有掩膜版專利技術等十多項專利發明和適用技術。產品已經覆蓋汽車電子、通訊設備、工業控制、智能家居、消費類電子等諸多領域；產品應用在客戶端，表現出卓越的性能，獲得了市場的認可。

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