Cmos優勢物料推選三：CMSA120P03A
摩爾定律是半導體行業發展的最大壁障，它從物理角度預測和定義了芯片發展的趨勢和邊界。場效應管作為電子電路基礎芯片之一，其發展歷程最為典型，足以說明半導體芯片的來龍和去脈。
場效應管于二十世紀六十年代被發明研制，歷經六十多年發展，已然作為電力電子核心半導體器件得到廣泛應用。其封裝形式先后經歷TO插件式、SOT貼片式、PDFN和TOLL大功率貼片。封裝形式的演變是人類對產品需求的發展，從需求層面出發，要求攜帶方便，精巧而不笨重，所以小而精高集成性的封裝是發展趨勢；從節能角度，低電壓大電流是未來需求的趨勢，PDFN封裝滿足這兩點需求。下圖是某半導體研究機構統計的2010~2020近十年場效應管封裝需求的變化趨勢，很清楚的反映出，半導體市場對PDFN封裝需求一直呈現上漲趨勢，這也主要是這種封裝自身的優異特性，顯然，PDFN封裝將會得到廣泛應用。
CMSA120P03A是Cmos研制的一款溝槽型工藝P溝道場效應管，具有卓越的電性參數。
封裝形式
CMSA120P03AMOSFET屬于PDFN封裝，為了拓展客戶實際應用電路物料的兼容性，PDFN封裝可以和SOP-8封裝互相替代。具體內部拓撲結構如下圖所示。
卓越的電性特性
耐壓和耐流能力
CMSA120P03A場效應管是一款低電壓大電流P溝道場效應管，擊穿電壓為VDS=-30V，在Tc=25℃，MOS管將完全導通狀態下，DS的持續工作電流ID=-150A,具有高功率輸送能力，這種特性用在電機橋型驅動方案，高性能鋰電池保護板以及LED燈控產品方面效果卓越,性能穩定。
低開啟低內阻
CMSA120P03A是一款P溝道MOS管，從微觀層面考慮，溝道電阻是受載流子（載流子分為電子和空穴）遷移率的影響。而空穴遷移率的大小僅為電子遷移率的1/3，在相同尺寸條件下，P溝道是N溝道內阻的3倍。然而，這種半導體固有的物理特性，并沒阻止Cmos研發團隊對優秀產品的追求。CMSA120P03A這款管子，在飽和狀態時，導通內阻RDSON僅僅只有3.6mΩ，在電路應用中其導通損耗將變得非常小，應用在鋰電保護板上效果極佳，穩定性極佳。再加上柵極開啟電壓Vgs=-2V，這使得其驅動電路異常簡單，使得整個電路集成性更高。
CMSA120P03A是一款綜合性能優越的場效應管，低導通損耗和低開啟條件使其具有寬泛的應用環境，高功率輸出能力能夠輕松達到高效率的傳遞能力。在高性能鋰電池保護板，LED燈控制器，無刷電機等領域已被廣泛應用。當然它的應用電路不僅限于此，還有更多的應用場景等待開發。
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