Cmos優勢物料推選六：CMD840
CMD840 MOS是一款采用平面工藝設計的高壓小電流FET，作為電子工程師我們都知道，平面工藝FET很多電性特征參數都與內部晶片大小息息相關。在產品制造過程中，FET大多表現出特征參數相悖的特點，比如，在實際物料生產中，為降低導通內阻，就需要相應增大實際的晶片面積，為降低Ron須增大硅片面積使成本增加, 工藝寄生電容隨之也會增大，結合實際應用環境，如果對寄生電容不進行優化和控制，那么這種參數MOS管其應用環境將會受限制。在這一點上，Cmos經過在工藝上不斷創新，打破了理論限制，創造性的推出CMD840 FET，有效的拓寬了平面工藝物料的應用環境。
封裝形式
CMD840 MOSFET提供TO-252貼片和TO-251插件兩種封裝新式，其外觀和內部拓撲結構如下圖所示：
電性參數
耐壓和耐流能力
CMD840是一款高壓小電流的場效應管，其擊穿電壓BVDSS可達500V，漏源持續電流ID為8A。從伏安特征值、導通內阻及結合實際電路的特性來看，該物料不具備過大電流的能力。
優秀的開關速度
CMD840 MOSFET CISS為1400PF，COSS為210PF，得益于對更低的寄生電容的控制，使得CMD840成為電源應用，無刷電機組合應用方案的理想之選。
CMD840是一款平面工藝場效應管，具有更高的抗沖擊性能和更好的電參數一致性。參數的一致性尤其在半橋，全橋，推挽等MOSFET組合結構中尤為重要。通過對以往電路故障分析發現，在半橋應用中，上管和下管的死區控制時間是重要的參數之一，所以調整死區時間時盡量減少外部其他非必要因素的影響，否則參與的變量越多對死區時間的影響就越廣，結果就是合理的死區時間調整就越困難。所以，為了減小非必要因素引起的關鍵性參數退變，不能僅停留在具體參數的匹配性上，還要對物料工藝有所考慮，唯有如此，方能節約元器件上電測試時間，使新品盡快得到試產。
以下是小編整理的MOSFET不同工藝的結構分析：
Cmos半導體產品
歷經二十四年發展，Cmos半導體已經成長為技術先進，品質卓越，物品豐富，高性價比的綜合性半導體企業。Cmos產品有：MOS場效應管，晶閘管，IGBT，三端穩壓芯片，三極管，二極管等，應用鄰域廣泛，性能可靠穩定。
Cmos產品應用領域
消費電子類：家電，電動車，無人機，戶外顯示，開關電源，筆記本電腦，電動工具；
工業電子類：智能儀表，無線通訊，光伏，5G通訊，服務器，物聯網；
汽車電子類：新能源汽車，充電樁，軌道交通。
Cmos半導體是優質的國產半導體廠家，擁有豐富的MOSFET和其他半導體產品，具備出色性能以及價格優勢。產品生產工藝齊全先進，產品系列應用廣泛，產品分布低功率至高功率應用。下面是Cmos的部分主推型號參數，更多型號資料請聯系在線客服或登錄Cmos官網，可索取免費樣品以及報價、技術支持服務。
