CMS4013是P溝道增強型功率場效應晶體管，采用廣東場效應半導體有限公司（Cmos）先進的溝槽技術和設計，提供優秀的RDS（ON）。

CMSA180P03是P溝道增強型功率場效應晶體管，采用廣東場效應半導體有限公司（Cmos）先進的溝槽技術和設計，提供優秀的RDS（ON）。

CMB044N10BMOS管是一款采用柵極分割改進型溝槽工藝設計的大功率FET，屬于低電壓大電流MOS，具有卓越的性能和廣闊的應用市場。

CMD060N10是采用廣東場效應半導體有限公司（Cmos）先進的SGT工藝技術和設計，提供優秀的RDS(ON)、Qg、CISS，非常適合用于DC-DC電源、電源切換應用，開關控制，電機控制、LED控制等多種應用。

CMD840 MOS是一款采用平面工藝設計的高壓小電流FET，作為電子工程師我們都知道，平面工藝FET很多電性特征參數都與內部晶片大小息息相關。